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关键是，牙网在WSe2单层上施加的局部应变可以用来控制激子的能量，诱导漏斗，并实现单光子源。络安利用光纤的基模在光纤的侧面激发和收集发射来实现光学表征。

b240nm半径的光纤尖端和700nm的激发和收集曲线的模拟;c低温环境(T=5K)下通过器件并通过光纤采集的白光(如图所示)光谱;d5K条件下光纤收集到的PL;e当通过增加压电定位器电压来推动光纤设备时，全局全白XA:1s透过峰的能量随着纤维位移的增加而降低;f对于e中相同的光纤位移，全局全白PL中X0和X−的能量减小;图2 应变诱导激子响应在T=5K时的透射率和可调性的PL谱 ©2022TheAuthorsa对于器件D3，当Vp=0(在异质结构与光纤接触之前)和Vp=10V时，XA:1s的透过峰;b光纤收集到的PL在Vp=0处有一个特征X0，与XA:1s的能量相匹配;cPL谱随压电定位器电压的变化呈现出两个特征分支;图3 用偏振选择性PL光谱法测量跃迁偶极矩 ©2022TheAuthorsa利用偏振选择性共聚焦从WSe2单层侧面收集光的方案;b在器件形变(Vp=0)之前，选择X偏振光时出现X−，选择z偏振光时出现D0;c在Vp=10V时，红移特征(1.6eV)的z极化程度远远大于水平分量(~1.7eV);图4 暗和亮激子穿越局部应变 ©2022TheAuthorsa时间分辨PL;bhBN/WSe2/hBN异质结构中应变的有限元建模;c由纤维面引起的应变诱导能量势示意图。当单层被光纤推动时，发布其最低能态位移高达390meV(WSe2单层带隙的20%)。物联网安在低温环境中动态应用应变方面的重要进展迄今仍停留在低应变状态(0.5%)。

最后，皮书作者揭示了暗激子在穿越应变场的能量传输中所扮演的角色。这种特殊的可调谐性，携手西班从可见光到近红外，突出了二维材料实现新型光电器件的潜力。

值得注意的是，牙网利用应变，作者实现了高达390meV的暗激子PL峰红移，这相当于未应变的WSe2单层带隙的20%。

本文结果还表明，络安MoSe2单层中应变诱导单光子源的缺乏可能源于暗激子不是该系统中最低能量激子状态的事实，络安这为一些理论著作中提出的解释提供了另一种解释。因此能深入的研究材料中的反应机理，全局全白结合使用高难度的实验工作并使用原位表征等有力的技术手段来实时监测反应过程，全局全白同时加大力度做基础研究并全面解释反应机理是发表高水平文章的主要途径。

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